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单异质结激光器

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  P-N结区较大,且电子或空穴向结区外扩散严重,使形成粒子数反转较难,要求泵浦电流较大,且只能以脉冲方式工作。

  以N-n同型单异质结激光器能带为例,当两种半导体材料紧密接触时形成异质结时,由于禁带宽度大的N型半导体的费米能级比禁带宽度小的高,所以电子将从前者向后者流动。结果在禁带宽度小的N型半导体一边形成了电子的积累层,而另外—边形成了耗尽层。由此形成了值为LE,的势垒层。在一定电流注入下,有源层积累的非平衡载流子浓度将增加。单异质结激光器的阈值电流密度比同质结低一个数量级,并实现了在室温下断续工作,因而得到了一些实际应用。

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